GlobalFoundries今日宣告白搭达成了3D仓库芯片进程上里程碑式的要害一步，在坐落美国纽约州的Fab 8新工厂内成功获得了榜首块结合了硅穿孔(TSV)技能的20nm工艺晶圆。
硅穿孔(TSV)白搭提出了很多年，在半导体工艺行进受阻的现在被广泛视为未来之星，有望替代现在的平面晶体管规划。简略地说，它是在硅晶圆上打出笔直的穿孔，然后填充导电资料，完结笔直堆叠集成电路之间的通讯。浅显来讲，便是把芯片做成3D立体的。
GlobalFoundries的硅穿孔技能采用了“via-middle”(中心穿孔)的理念(还有一种后穿孔/via-last)，在完结前端流程(FEOL)之后、开端后端流程(BEOL)之行进行穿孔操作，然后避开前端制造的完好过程中的高温，能够用铜作为填充资料。
而为了处理硅穿孔从28nm工艺向20nm的盗汗，GlobalFoundries自主开发了一种免除维护机制，能在将硅穿孔导向20nm的时分尽可能地削减损坏，终究结合自己的20nm-LPM工艺，GlobalFoundries成功展现了具有要害设备特点的可作业SRAM晶圆。
